フォトダイオード構造体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：遠藤恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129543
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015028
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】真空紫外から赤外までの広いスペクトル範囲にわたり量子効率が高いフォトダイオード構造体を提供する。【構成】フォトダイオード構造体は、半導体酸化物の最上層9’、n型導電性の非常にドープされた半導体層10’、p型導電性のエピタキシャル層11’、およびp型導電性の非常にドープされた基層12’から構成されている。酸化物層9’は酸化物層の下の非常にドープされた層と同じ型のドーピング不純物を含有している。n型半導体層10’のドーピング濃度は、エピタキシャル層11’との接合部に向けて増加する。このドーピング濃度の増加によって、電界勾配が生じ、電荷キャリアをその接合部へ導く。この電界勾配の発生と表面電荷の生成は、量子効率の改善に寄与する。

請求項（抜粋）：

放射線を検出するフォトダイオード構造体であって、ドーピング濃度が比較的高いp型導電性の半導体基層と、p型導電性を有し且つ前記半導体基層のものより全般的に小さいドーピング濃度を有する材料の前記半導体基層上に設けられた第1の層と、n型導電性を有する材料から成り、そのドーピング濃度が第1の層との接合部に向って減少している前記第1の層の上に設けられた第2の層と、第2の層と同じ型の導電性ドーピング不純物を含有している前記第2の層の上に設けられた酸化物層と、からなることを特徴とするフォトダイオード構造体。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , G01J 1/42

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭64-031472
特開昭50-126188
特開昭63-102380

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審査官引用 (4件)

特開昭64-031472
特開昭50-126188
特開昭63-102380

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