特許
J-GLOBAL ID：200903057809138116
半導体発光素子及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219179
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041541
出願日： 1991年08月05日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】 III族窒化物半導体InGaAlNエピタキシャル膜の高品質化による高効率・長寿命の半導体発光素子を提供すること。【構成】 サファイア基板1上に、表面窒化層2を形成し、この上にAlNバッファ層3、ついでGaN層4を形成し、ついでGaN発光層5を形成した半導体発光素子及びその作製方法である。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に形成されたIn1-x-y Gax Aly N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)を少なくとも1層含む半導体発光素子において、前記サファイア基板表面に形成された窒化層と前記窒化層上に堆積されたAlNバッファ層とを含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 27/12
