特許

J-GLOBAL ID：200903057813321650

露光方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 岡本 好彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-286953
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148408
出願日： 1994年11月21日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 位相シフト技術を用いた露光処理におけるフォトレジスト材料の制約を無くす。【構成】 半導体ウエハ上に被着されたポジ形のフォトレジストに配線形成用のレジストパターン14aを転写する際に、そのレジストパターン14aに対応する領域に遮光領域Sを備えるとともにその周囲の一部に形成された光透過領域Tのうち、遮光領域Sを挟む光透過領域Tの一方に透過光の位相が反転する位相シフタを備える第1のマスクMと、第1のマスクMの遮光領域Sとその周囲の少なくとも一部分の光透過領域Tとを覆う遮光領域Sを備える第2のマスクMとの相対位置を合致させた状態で時間的に連続して露光処理を行うようにした。

請求項（抜粋）：

マスクの光透過領域の所定位置に設けられた位相シフタによって透過光に位相差を生じさせ試料上に露光波長よりも短い間隔となる複数のパターンを転写する際、前記試料上にポジ形のフォトレジストを被着した後、前記試料上に残す露光波長より短い間隔の少なくとも一組のレジストパターンに対応する領域に遮光領域を備えるとともに、その周囲の一部分に形成された光透過領域のうち、前記遮光領域を挟む光透過領域の一方に透過光の位相が反転する位相シフタを備える第1のマスクと、前記第1のマスクの遮光領域とその周囲の少なくとも一部分の光透過領域を覆う遮光領域を備える第2のマスクとの相対位置を合致させた状態で、時間的に連続して露光処理を行うことを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 528 ,  H01L 21/30 514 C