特許
J-GLOBAL ID：200903057813658655
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021467
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213800
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 プロセスを複雑にすることなく、十分な応力緩和効果を持った層間絶縁膜が得られる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム膜21を形成した後、その上に圧縮応力を有するプラズマシリコン酸化膜19からなるマスク材パターン23を形成する。そして、このマスク材パターン23を用いてアルミニウム膜21をエッチングすることによりアルミニウム配線18を形成する。次に、マスク材パターン23を残した状態で引張応力を有するO3 -TEOS酸化膜20を形成することによりアルミニウム配線18とマスク材パターン23を埋め込む埋込層24を形成する。最後に埋込層24の表面をCMP法により平坦化する。
請求項（抜粋）：
配線の直上に圧縮応力または引張応力のいずれかの応力を有する第1の絶縁膜が形成され、これら配線および第1の絶縁膜が前記応力と反対の応力を有する第2の絶縁膜で埋め込まれたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
, H01L 21/31
H01L 21/90 K
, H01L 21/316 M
, H01L 21/95
