特許

J-GLOBAL ID：200903057817946566

光起電力素子及び発電システム

発明者： 斉藤 恵志 ,  青池 達行 ,  佐野 政史 ,  林 享 ,  殿垣 雅彦 ,  丹羽 光行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305367
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151911
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、光励起キャリアーの再結合を防止し、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子及びそれを用いた発電素子を提供する事を目的とする。【構成】 p型層、p型層側のマイクロ波(μW)PCVD法によるi型層とn型層側のRFPCVD法によるi型層とからなる積層構造のi型層及びn型層を積層して構成される光起電力素子に於いて、μWPCVD法によるi型層は、SiとGe含有原料ガスに、50mTorr以下で、原料ガスを100%分解するに必要なμWエネルギーより低いμWエネルギーとμWエネルギーより高いRFエネルギーとを同時に作用させるμWPCVD法により、バンドギャップの極小値がp型層側に片寄って形成されたi型層であり、RFPCVD法によるi型層は、2nm/sec以下で30nm以下形成されたi型層であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン系非単結晶半導体材料からなるp型層、i型層及びn型層を少なくとも積層して構成される光起電力素子に於いて、前記i型層は、前記p型層側に位置するマイクロ波プラズマCVD法によるi型層と前記n型層側に位置するRFプラズマCVD法によるi型層とからなる積層構造であって、前記マイクロ波プラズマCVD法によるi型層は、少なくともシリコン原子含有ガスとゲルマニウム原子含有ガスとからなる原料ガスに、50mTorr以下の圧力で、該原料ガスを100%分解するに必要なマイクロ波エネルギーより低いマイクロ波エネルギーと該マイクロ波エネルギーより高いRFエネルギーとを同時に作用させるマイクロ波プラズマCVD法により、バンドギャップの極小値が該i型層の中央の位置よりp型層方向に片寄って形成されたi型層であり、前記RFプラズマCVD法によるi型層は、2nm/sec以下の堆積速度で30nm以下形成されたi型層であることを特徴とする光起電力素子。