特許

J-GLOBAL ID：200903057819067918

熱電変換モジュール並びに半導体ユニットおよびその製造方法

発明者： 三好 実人 ,  今西 雄一郎 ,  櫛引 圭子 ,  小林 正和 ,  古谷 健司 ,  篠原 和彦
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065297
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261118
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 隣接する半導体素子または素子群間の短絡を防止し、製造が容易でコストの低い熱電気変換モジュールおよびモジュールの単位構成要素である半導体ユニットおよびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 電気伝導方向に見た両端面以外は、絶縁材料より成る管状部材21によって覆われたN型半導体素子12およびP型半導体素子13を有する半導体素子ユニットを交互に配列し、隣接する管状部材を接着剤を介して固定し、それぞれN型半導体素子12およびP型半導体素子13を有する隣接する半導体ユニットの半導体素子を、電極23によってカスケード接続する。N型半導体素子12およびP型半導体素子13と、電極23との間に金属層22を設けることにより半導体素子と電極との電気的および機械的に良好な結合が得られるとともに半導体素子の特性の劣化を防止できる。

請求項（抜粋）：

電気伝導方向に見た両端部以外の外周部が絶縁体で覆われたN型半導体素子を有する半導体ユニットまたはユニット群と、電気伝導方向に見た両端部以外の外周部が絶縁体で覆われたP型半導体素子を有する半導体ユニットまたはユニット群とが、それらの両端面において電気的に交互にカスケード接続されており、隣接する半導体ユニットの、絶縁体である側壁部が接着剤を介して固定されていることを特徴とする熱電変換モジュール。