特許

J-GLOBAL ID：200903057821073895

半導体製造装置用の窒化アルミニウム基材及びその製造方法

発明者： 豊田 誠司 ,  黒光 祥郎 ,  菅村 邦夫
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141276
公開番号（公開出願番号）：特開平9-328382
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 熱伝導率が高く、熱衝撃に対して耐久性に優れ、かつ耐食性、特にフッ素系ガスに対して耐食性が良好な窒化アルミニウム基材を得る。【解決手段】 半導体製造装置用の窒化アルミニウム基材10,20は、窒化アルミニウム焼結体11と、この焼結体11の表面に焼結体を酸化して形成された酸化層12と、この酸化層12の表面に形成された金属フッ化物層14とにより構成される。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置用の窒化アルミニウム基材において、窒化アルミニウム焼結体(11)と、前記焼結体(11)の表面に前記焼結体を酸化して形成された酸化層(12)と、前記酸化層(12)の表面に形成された金属フッ化物層(14)とにより構成されたことを特徴とする半導体製造装置用の窒化アルミニウム基材。