特許

J-GLOBAL ID：200903057823301852

窒化物系化合物半導体の製造方法

発明者： 坂井田 敏昭
出願人/特許権者： 坂井田 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117613
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289095
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】GaInN成膜工程前に必要な低温と高温の2段階の成膜工程のうち、低温の成膜工程を省略し、高温の成膜工程のみとする方法による発光素子の収率向上。【解決手段】サファイア基板上に窒化珪素バッファ体、高温バッファ層を作成することにより、AlGaN、GaInNからなる発光素子の製造収率の向上を解決する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に、窒化珪素化合物からなる離散的に複数の微細な孔を有するバッファ体を形成し、さらに前記バッファ体上に高温でGa、Alからなる金属ドロップレットを離散的に形成、窒化した窒化物系化合物半導体からなる高温バッファ層を作成し、前記高温バッファ層上に窒化物系化合物半導体を形成する製造方法。

IPC (3件)：

H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (30件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA41 ,  5F041CA10 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53