特許

J-GLOBAL ID：200903057823633359

ガスセンサ

発明者： 町田 博宣
出願人/特許権者： フィガロ技研株式会社
代理人 (1件)： 塩入 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166985
公開番号（公開出願番号）：特開2000-356616
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【構成】 絶縁基板上で、SbとPt-Pdとを添加したSnO2膜からなる内層に、SbとPt添加のSnO2膜からなる外層を積層してガスセンサとする。ガスセンサの温度を室温付近と400°C付近とに交互に変化させ、高温側での出力からメタンを検出し、低温側の出力からCOを検出する。【効果】 CO検出時の温湿度依存性を小さくし、メタンやCOの水素に対する相対感度を改善し、かつメタン検出時の抵抗値とCO検出時の抵抗値を近づける。

請求項（抜粋）：

ヒータにより金属酸化物半導体の温度を周期的に変化させ、該金属酸化物半導体の抵抗値からCOと可燃性ガスとを検出するようにしたガスセンサにおいて、SnO2 100重量部当たりPt0.5〜5重量部とPd0.05〜1.0重量部を添加したSnO2を用いた内層を、SnO2 100重量部当たりPt0.5〜5重量部を添加しPd無添加のSnO2を用いた外層で被覆して、前記金属酸化物半導体を構成したことを特徴とするガスセンサ。

Fターム (22件)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046BA01 ,  2G046BA02 ,  2G046BA03 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC03 ,  2G046BC04 ,  2G046BC08 ,  2G046BE02 ,  2G046BE03 ,  2G046DA05 ,  2G046DB05 ,  2G046DD03 ,  2G046FB02 ,  2G046FC02 ,  2G046FC03 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE36 ,  2G046FE39