特許

J-GLOBAL ID：200903057826258389

半導体記憶装置

発明者： 下地 規之 ,  小澤 孝典 ,  中尾 広宣
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-284585
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121764
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 MoNoS構造の不揮発性メモリにおいて、従来の酸化膜の代わりに高誘電体膜を使用し、トラップ膜に高誘電率絶縁膜と不定形絶縁膜よりなる混合膜を用いて、トンネル酸化膜にかかる電圧の比を高くし、低電圧で書き込み、消去ができ、かつ、電子の電極への突き抜けおよび電極からの正孔の注入を防いだ注入効率を高めた。

請求項（抜粋）：

Si基板上に形成したトンネル酸化膜と、該トンネル酸化膜上に形成した高誘電率絶縁膜と無定形絶縁膜よりなる混合膜と、該混合膜上に形成した高誘電体膜と、該高誘電体膜上に形成したゲート電極を備えてなる半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 E