特許
J-GLOBAL ID：200903057827050897
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-258711
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115177
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】データ読み出し時の読み出しゲートディスターブの発生を防止できる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】NAND型フラッシュEEPROMにおいて、P型チャネル部にN型不純物をイオン注入して、いわゆる埋め込みチャネル層4を形成し、フローティングゲート中にチャージされる電荷量がゼロ状態のしきい値電圧、すなわち紫外線消去後のしきい値電圧を、通常の1〜2Vから0〜-1Vに下げる。これにより、データ「1」状態でのプラスチャージ量を大幅に減少でき、データ読み出し時における読み出しゲートディスターブを緩和できる。
請求項（抜粋）：
チャネル近傍領域に形成された電荷蓄積部への電荷の蓄積状態に応じてメモリセルトランジスタのしきい値がシフトするNAND型の半導体不揮発性記憶装置であって、上記電荷蓄積部に電荷が蓄積されていない状態におけるしきい値が、書き込み状態時のしきい値と消去状態時のしきい値との間にあることを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。
IPC (7件)：
H01L 27/10 491
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 307 D
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
