特許

J-GLOBAL ID：200903057831139355

半導体装置の製造方法

発明者： 赤司 圭介 ,  鈴木 康浩
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-090741
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283477
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜上のポリシリコン膜をドライエッチングする際に、異方性かつ高速にエッチングし得ると共に、マスクとなるレジストの除去を極めて容易にする。【構成】 シリコン基板1表面に熱酸化によって得られるSiO2 等の絶縁膜2上のポリシリコン膜3を反応性ガスプラズマによるドライエッチングするのに、プロセスガスとして臭化水素ガスと、塩素ガスと、CF4 、C2 F6 、NF3 、CH2 F2 であるフッ素系ガスのいずれかとを任意に混合したガスを用いる。これにより、ポリシリコン膜3が塩素ガスと反応して生成されるSiCl4 が比較的高い反応確率で起こるため、ポリシリコン膜3のエッチング速度が高速となり、また、フッ素系ガスによりレジストパターン4上に生成されるSiO2 系の反応生成物の発生を抑制できる。

請求項（抜粋）：

酸化膜上に形成されたポリシリコン膜をドライエッチングする際に、臭化水素ガスと塩素ガスとフッ素系ガスとを混合した混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-222417
  
• 特開平4-148534
  
• 特開平3-222417
  
• 特開平4-148534