特許

J-GLOBAL ID：200903057832403668

マイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 内山 信三 ,  鈴木 伸昌 ,  北川 英夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000015
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203904
出願日： 2002年01月04日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】 プラズマを被処理基体の面内に均一に供給し、被処理基体の面内を均一に処理可能とする。【解決手段】 プラズマ処理室101内に設置され被処理基体102を支持する手段と、該プラズマ処理室内への被処理基体の搬入出口109と、該プラズマ処理室内への処理用ガス導入手段105と、該プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、該プラズマ処理室へのマイクロ波113を導入する導波管108と、該プラズマ処理室に組み込まれたマイクロ波透過窓107と、該プラズマ処理室内にあって磁石と磁石冷却手段を内包し被処理基体102の中心軸を中心とした円筒形状の囲い110とを備える。プラズマ処理時に囲い110は、上昇して、被処理基体102から搬入出口109を隠し、該被処理基体からみたプラズマ処理室101を軸対称とする。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理室と、該プラズマ処理室内に設置された被処理基体支持手段と、該プラズマ処理室内への被処理基体搬入出口と、該プラズマ処理室内への処理用ガス導入手段と、該プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、該プラズマ処理室へのマイクロ波導入手段と、該プラズマ処理室の一面に組み込まれたマイクロ波透過窓と、該プラズマ処理室内にあって、磁石と磁石冷却手段を内包し前記被処理基体支持手段の中心軸を中心とした円筒形状の囲いと、該囲いを昇降する手段と、を備えるマイクロ波プラズマ処理装置であって、プラズマ処理時に該囲いは、上昇して、被処理基体から前記被処理基体搬入出口を隠し、被処理基体からみた前記プラズマ処理室を軸対称とすることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (27件)：

4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA12 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB08 ,  5F004BB11 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DB23 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045EH03 ,  5F045EH16 ,  5F045GB08