特許
J-GLOBAL ID：200903057843222746
シュードモフィックHEMT
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-137132
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332232
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 下地層とその上のチャネル層との間の格子定数差が2%以上でも低転位密度の歪みチャネル層を含む高性能PHEMTを提供する。【解決手段】 シュードモフィックHEMTは、半導体基板(200)上の限定された微小領域(W)上で他の領域から分離されてエピタキシャル成長によって順次積層されたバッファ層(201a)とシュードモフィック歪みチャネル層(202a)を含んでいる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の限定された微小領域上で他の領域から分離されてエピタキシャル成長によって順次積層されたバッファ層とシュードモフィック歪みチャネル層を含むことを特徴とするシュードモフィックHEMT。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GJ06
, 5F102GK04
, 5F102GK05
, 5F102GL04
, 5F102GL09
, 5F102GM04
, 5F102GM06
, 5F102GN05
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102GR04
, 5F102HC01
