電荷の界面トラップとチャネルのホットキャリヤの劣化を減少させる方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233320
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100769
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】界面準位の濃度を減少させる方法。【解決手段】蒸気酸化中に重水素の酸化物を使用して、酸化蒸気を形成する。重水素は化学的に水素に似ているので、酸化プロセスは通常に起こり、シリコン-酸化珪素界面は同時に重水素で飽和される。界面が重水素で飽和されると、界面のトラップ密度が減少し、それによりチャネルのホットキャリヤの劣化が減少する。この方法は、第1の量の酸素を流し;第2の量の重水素を流して、前記第1の量の酸素と酸化蒸気を形成し;上面を有するシリコン基板を前記酸化蒸気内に挿入し;前記酸化蒸気中で前記シリコン基板の温度を上昇させて、前記上面上に誘電体層を形成するステップを備える。

請求項（抜粋）：

シリコン含有薄膜を形成する方法において、第1の量の酸素を流し;第2の量の重水素を流して、前記第1の量の酸素と酸化蒸気を形成し;上面を有するシリコン基板を前記酸化蒸気内に挿入し;前記酸化蒸気中で前記シリコン基板の温度を上昇させて、前記上面上に誘電体層を形成するステップを備えることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 G

Fターム (11件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF63 , 5F058BF80 , 5F058BJ01 , 5F140AA23 , 5F140BA01 , 5F140BD05 , 5F140BE07

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