特許
J-GLOBAL ID:200903057849182282
プラズマ処理装置用下部電極
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
梶 良之
, 須原 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-102850
公開番号(公開出願番号):特開2005-294301
出願日: 2004年03月31日
公開日(公表日): 2005年10月20日
要約:
【課題】 ショットブラスト処理を施さずとも、下部電極表面に所望の凹凸を設けた、耐スティッキング性に優れたアルミニウム合金製の下部電極を提供することを目的とする。【解決手段】 ワークにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に備えられるアルミニウム合金で形成された下部電極であって、この下部電極の平坦な表面は、化学的エッチング処理のみにより生起させられた、Raで 1μm ≦Ra≦6 μm である粗さの凹凸を有し、下部電極表面 (アルミニウム合金表面) とウエハ表面との表面同士の接触面積を小さくして、スティッキングを防止する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
ワークにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に備えられるアルミニウム合金で形成された下部電極であって、この下部電極の平坦な表面はRaで 1μm ≦Ra≦6 μm である粗さの凹凸を有しており、この凹凸が下部電極表面の化学的エッチング処理のみにより生起させられていることを特徴とするプラズマ処理装置用下部電極。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (3件):
5F004BA04
, 5F004BB15
, 5F004BB29
引用特許:
出願人引用 (1件)
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特許第3160229 号公報 (第1 〜3 頁、図1)
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