スタティックランダムアクセスメモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356970
公開番号（公開出願番号）：特開平5-174580
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 SRAMにおいて、セルの動作の安定性を確保しつつセルアレイの高集積化を図る。【構成】各メモリセルの一方のトランスファゲートを書き込み専用とし、他方のトランスファゲートを読み出し専用とし、ワード線方向に各隣接する二つのメモリセルが一本のビット線を共有するようにする。

請求項（抜粋）：

各メモリセルの一方のトランスファゲートが書き込み専用トランスファゲートトランジスタによって、他方のトランスファゲートが読み出し専用トランスファゲートトランジスタによってそれぞれ構成され、書き込み専用トランスファゲートトランジスタと読み出し専用トランスファゲートトランジスタとはゲート電極が別個の制御信号を受けるように互いに独立して形成され、ワード線方向に隣接する各二つのメモリセルが一本のビット線を共有するように上記書き込み専用トランスファゲートトランジスタ及び読み出し専用トランスファゲートトランジスタと、ビット線との接続が為されたことを特徴とするスタティックランダムアクセスメモリ

IPC (2件)：

G11C 11/41 , H01L 27/11

FI (2件)：

G11C 11/34 345 , H01L 27/10 381

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭56-105387
特開平3-194795
特開昭61-034787

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