薄膜太陽電池及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048952
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268240
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】薄膜太陽電池のi形層を構成するa-SiGe:Hを高品質化し、高効率の薄膜太陽電池を提供すること。【構成】 p形a-SiC:H膜3、i形a-SiGe:H膜4、微結晶n膜5からなる薄膜半導体接合のi形a-SiGe:H膜が非単結晶で、SiとGeが深さ方向に濃度分布を持ち、さらにこの層中に、IIIa族元素であるBがGeの最高濃度位置で最高濃度となる濃度分布を持ってドーピングされている薄膜太陽電池。

請求項（抜粋）：

p形層、n形層及び該p形層とn形層の間に配置されたSiとGeを主成分とするi形層からなる薄膜半導体接合を基板上に有する薄膜太陽電池において、上記i形層は、非単結晶で、SiとGeが深さ方向に濃度分布を持ち、さらにi形層中には、IIIa族元素がGeの最高濃度位置で最高濃度となる濃度分布を持ってドーピングされていることを特徴とする薄膜太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-214679
特開平4-214681
特開平4-233282

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