特許

J-GLOBAL ID：200903057859834148

半導体基板の処理方法及び半導体装置の処理装置

発明者： 塘 洋一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093664
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283411
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 微量の阻害物質によって影響が出てしまう化学増幅型レジストのようなものを用いて微細加工する場合も、容易な工程で、微量物質による形状不整の如き悪影響を防止することができる半導体基板の処理方法及び半導体装置の処理装置を提供する。【構成】 ?@処理室内において半導体基板表面を前処理する前処理方法において、前処理I後、処理室内に不活性ガスを導入IIし、あるいは不活性ガス導入II及び排気III を少なくとも1回行う。?A半導体基板表面を前処理する前処理室と、露光後の半導体基板を処理する処理室とを備える半導体装置の処理装置において、前処理室内を排気する排気系と、前処理室に不活性ガスを導入する導入系とを有する。

請求項（抜粋）：

処理室内において半導体基板表面を前処理する前処理方法において、前処理後、処理室内に不活性ガスを導入し、あるいは不活性ガス導入及び排気を少なくとも1回行うことを特徴とする半導体基板の前処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/38 512

FI (3件)：

H01L 21/30 361 A ,  H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 H