特許
J-GLOBAL ID:200903057860794109

単接合型薄膜太陽電池及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-394713
公開番号(公開出願番号):特開2002-314109
出願日: 2001年12月26日
公開日(公表日): 2002年10月25日
要約:
【要約】【課題】 十分な光閉込効果を有しつつ、欠陥密度を低減させたシリコン層を有する高効率な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に、透明導電層及び光電変換層がこの順に1組積層されて構成されてなり、 前記透明導電層が光電変換層側の表面に複数の穴を有しており、該穴の表面に凹凸が形成されている単接合型薄膜太陽電池。
請求項(抜粋):
基板上に、透明導電層及び光電変換層がこの順に1組積層されてなり、前記透明導電層が光電変換層側の表面に複数の穴を有しており、該穴の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする単接合型薄膜太陽電池。
FI (2件):
H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M
Fターム (9件):
5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB15 ,  5F051CB21 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03
引用特許:
審査官引用 (4件)
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