特許

J-GLOBAL ID：200903057862356303

半導体ウエハの洗浄・乾燥方法およびその装置

発明者： 大森 寿朗
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041718
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236497
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 ウエハ表面処理の不均一、洗浄不良、乾燥不良を抑制する半導体ウエハの洗浄・乾燥方法およびその装置を得る。【構成】 洗浄処理の場合、ウエハ3上方に設けた蒸気供給ノズル13から蒸気をウエハ3に供給する間、終始ウエハ3裏面側に設けたガス供給口8から冷却用ガスをウエハ3裏面に供給してウエハ3を冷却する。乾燥処理の場合、終始ウエハ3上方に設けたガス供給ノズル14及びガス供給口8から加熱用ガスをウエハ3表面及び裏面に供給してウエハ3を加熱する。【効果】 表面処理の不均一、洗浄、乾燥不良等を抑制し、洗浄、乾燥性能の向上及び処理の効率化が図れる。

請求項（抜粋）：

洗浄あるいは乾燥用の蒸気をウエハ表面に供給する前記ウエハの表面処理工程を有する半導体ウエハの洗浄・乾燥方法であって、前記ウエハを該ウエハの表面に前記蒸気を供給できる位置に設置する工程と、前記蒸気を前記ウエハに供給する工程と、前記蒸気を前記ウエハに供給している間、前記ウエハの温度を前記蒸気の蒸気温度以下に維持する工程と、を備えた半導体ウエハの洗浄・乾燥方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 361 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/08 ,  F26B 11/08 ,  F26B 21/10

FI (6件)：

H01L 21/304 341 V ,  H01L 21/304 361 V ,  H01L 21/304 361 S ,  B08B 3/08 A ,  F26B 11/08 ,  F26B 21/10 A