特許
J-GLOBAL ID:200903057862510205
微細電子デバイスの製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
江崎 光史
, 三原 恒男
, 奥村 義道
, 鍛冶澤 實
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-515525
公開番号(公開出願番号):特表2004-505319
出願日: 2001年07月20日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
本発明は、基体にフォトレジスト像を供し、このフォトレジスト像をシュリンク材でコーティングし、フォトレジスト像と接触する部分の前記シュリンク材を不溶化し、不溶化されていない部分のシュリンク材を除去溶液で除去することを含んでなり、更にこの際、前記除去溶液が界面活性剤の水溶液を含んでなる、微細電子デバイスの製造方法に関する。
請求項(抜粋):
a) 基体にフォトレジスト像を供し、
b) 前記フォトレジスト像をシュリンク材でコーティングし、
c) 前記フォトレジスト像と接触する部分のシュリンク材を不溶化し、
d) 不溶化されていない部分のシュリンク材を除去溶液で除去する、
ことを含んでなり、更にこの際、前記除去溶液が、界面活性剤の水溶液を含んでなる、微細電子デバイスの製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F7/40 511
, H01L21/30 572B
Fターム (6件):
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096HA05
, 2H096HA30
, 2H096LA30
, 5F046MA02
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