特許

J-GLOBAL ID：200903057862629270

半導体装置及びその製造方法

発明者： 早崎 嘉城 ,  鈴村 正彦 ,  前田 光英 ,  鈴木 裕二 ,  白井 良史 ,  ▲高▼野 仁路 ,  岸田 貴司 ,  吉田 岳司
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-100835
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289319
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】電極配線を形成した場合の電界集中による耐圧低下が少なく高耐圧化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1上に絶縁層2を介して半導体層3が形成され、半導体層3内に、ドレイン領域4とウェル領域5とが離間して形成され、ウェル領域5内にソース領域6が形成されている。ウェル領域5上には絶縁ゲート7が絶縁膜8を介して形成され、ドレイン領域4上にはドレイン電極41が形成されている。ドレイン電極に電気的に接続されたドレイン電極配線41aの下方周辺には絶縁層2まで達する厚さの絶縁領域13が形成され、この部分でソース領域6及びウェル領域5が切断されている。

請求項（抜粋）：

絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層の主表面側で前記半導体層内に離間して形成された第2導電形のウェル領域及び第1導電形のドレイン領域と、前記ウェル領域内に形成された第1導電形のソース領域と、前記ソース領域と前記半導体層との間に介在する前記ウェル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された絶縁ゲートと、前記ドレイン領域上に形成されたドレイン電極と、前記ソース領域上に形成されたソース電極と、前記絶縁ゲートに接続されたゲート電極とを備えた半導体装置であって、前記半導体層の主表面から前記半導体層の内部に形成された絶縁領域が前記ソース領域から前記ドレイン領域に亙って延設され、前記ドレイン電極に電気的に接続されたドレイン電極配線が前記絶縁領域上に形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 616 T ,  H01L 27/12 F ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 626 Z