特許

J-GLOBAL ID：200903057874232570

半導体装置の製造方法

発明者： 谷川 哲郎
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-220085
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022108
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 リソグラフィ、露光照明系、レジスト、マスク技術によらずに、簡易且つ効果的に活性領域の鈍りを抑制し、微細化および高信頼性が図れる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 コーナー部を有する活性領域1をリソグラフィにより形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、マスク上の活性領域1のコーナー部に対応する部分にリソグラフィで解像しない程度の大きさの凹部7dを有するようにレイアウトされたパターン7を用いて露光する工程を含んでいる。

請求項（抜粋）：

コーナー部を有する活性領域をリソグラフィにより形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、マスク上の活性領域のコーナー部に対応する部分にリソグラフィで解像しない程度の大きさの凹部又は凸部又はダミーパターン部を有するようにレイアウトされたマスクを用いて露光する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 Z ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-165851
  
• 特開平1-159651
  
• 特開昭62-141558
  
• 特開平1-107530