特許

J-GLOBAL ID：200903057876718275

半導体装置の製造方法

発明者： 佐竹 哲郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034902
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230316
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 第2のレジストパターンの配線溝用開口部が第1のレジストパターンの接続孔用開口部に対して位置ずれしても接続孔の径が小さくならないと共に、接続孔の内部に障壁が形成されないようにする。【解決手段】 下層配線102の上に、第1の層間絶縁膜104、エッチングストッパー膜、第2の層間絶縁膜106及び第2のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第2のシリコン酸化膜に第1のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク107Aを形成する。第2の層間絶縁膜106及びエッチングストッパー膜にハードマスク107Aの接続孔用開口部を転写した後、ハードマスク107Aに第2のレジストパターン110Aの配線溝用開口部を転写する。第2の層間絶縁膜106に対して配線溝用開口部が転写されたハードマスク107Bを用いてエッチングして配線溝112を形成すると共に、第1の層間絶縁膜104に対して接続孔用開口部が転写されたエッチングストッパー膜105Aを用いてエッチングして接続孔111を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されている金属配線の上に、有機化合物膜からなる第1の層間絶縁膜、エッチングストッパー膜、有機化合物膜からなる第2の層間絶縁膜、及び無機化合物膜又は有機無機複合膜を順次堆積する膜堆積工程と、前記無機化合物膜又は有機無機複合膜に対して、接続孔用開口部を有する第1のレジストパターンをマスクとしてエッチングを行なうことにより、前記無機化合物膜又は有機無機複合膜からなり、前記接続孔用開口部が転写されたハードマスクを形成する第1のエッチング工程と、前記第2の層間絶縁膜及びエッチングストッパー膜に対して前記ハードマスクを用いてエッチングを行なうことにより、前記第2の層間絶縁膜及びエッチングストッパー膜に前記ハードマスクの前記接続孔用開口部を転写する第2のエッチング工程と、前記ハードマスクに対して、配線溝用開口部を有する第2のレジストパターンをマスクとしてエッチングを行なうことにより、前記ハードマスクに前記配線溝用開口部を転写する第3のエッチング工程と、前記第2の層間絶縁膜に対して、前記配線溝用開口部が転写された前記ハードマスクを用いてエッチングを行なうことにより、前記第2の層間絶縁膜に配線溝を形成すると共に、前記第1の層間絶縁膜に対して、前記接続孔用開口部が転写された前記エッチングストッパー膜を用いてエッチングを行なうことにより、前記第1の層間絶縁膜に接続孔を形成する第4のエッチング工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (31件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX15