特許

J-GLOBAL ID：200903057878082947

層間接続構造及びその形成方法

発明者： 吉村 栄二
出願人/特許権者： 株式会社ダイワ工業
代理人 (1件)： 鈴木 崇生 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123616
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318534
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 簡易かつ低コストに、高さが均一で導電性と伝熱性が良好な層間接続体を形成することができ、しかも接続の信頼性が高い層間接続構造の形成方法、及び当該方法で形成された層間接続構造を提供する。【解決手段】 金属板の第1面の層間接続体を形成する表面部分に第1マスク層を形成する工程、前記第1面に対し金属板の厚み方向に部分的にエッチングして、浸食された金属板に第1層間接続部12を形成する工程、その形成側面に第1絶縁層13を形成する工程、前記金属板の第2面の層間接続体を形成する表面部分に第2マスク層21を形成する工程、その第2面に対しエッチングして、前記第1絶縁層13aを露出させながら第1層間接続部12と一体の第2層間接続部22を形成する工程、及びその形成側面に第2絶縁層を形成する工程、を含む層間接続構造の形成方法。

請求項（抜粋）：

(1a)金属板の第1面の層間接続体を形成する表面部分に第1マスク層を形成する工程、(1b)前記第1面に対し金属板の厚み方向に部分的にエッチングして、浸食された金属板に第1層間接続部を形成する工程、(1c)前記第1層間接続部の形成側面に第1絶縁層を形成する工程、(1d)前記金属板の第2面の層間接続体を形成する表面部分に第2マスク層を形成する工程、(1e)その第2面に対しエッチングして、前記第1絶縁層を露出させながら前記第1層間接続部と一体の第2層間接続部を形成する工程、及び(1f)前記第2層間接続部の形成側面に第2絶縁層を形成する工程、を含む層間接続構造の形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/40 ,  H05K 1/11

FI (2件)：

H05K 3/40 K ,  H05K 1/11 N

Fターム (8件)：

5E317AA30 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317BB15 ,  5E317BB18 ,  5E317CC60 ,  5E317GG20