特許

J-GLOBAL ID：200903057878116515

半導体ウェーハの面取り面研磨装置

発明者： 川口 章 ,  木村 繁 ,  矢野尾 明仁 ,  鶴田 捷二 ,  熊部 重男
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-207483
公開番号（公開出願番号）：特開平10-044006
出願日： 1996年08月06日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの面取り面研磨装置において、移送される半導体ウェーハからたれ落ちる研磨液が装置の各部材等に付着することを防止する。【解決手段】 半導体ウェーハWの周縁に形成された面取り面Mに研磨液を供給するとともに研磨布111を押圧状態に摺動させて前記面取り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨装置であって、前記半導体ウェーハの面取り面の研磨を行う研磨室4,7と、該研磨室で研磨された前記半導体ウェーハを洗浄水で洗浄するウェーハ洗浄部20,24と、研磨された前記半導体ウェーハを前記研磨室から取り出すとともに該研磨室の上方を移動させて前記ウェーハ洗浄部へ移送する移送機構5,8と、前記研磨室の上部から前記ウェーハ洗浄部の上部まで配された天板76,84とを備え、該天板は、前記研磨室から前記ウェーハ洗浄部まで段階的に低く設定されるとともに、上面に水Lが溜められている。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの周縁に形成された面取り面に研磨液を供給するとともに研磨布を押圧状態に摺動させて前記面取り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨装置であって、前記半導体ウェーハの面取り面の研磨を行う研磨室と、該研磨室で研磨された前記半導体ウェーハを洗浄水で洗浄するウェーハ洗浄部と、研磨された前記半導体ウェーハを前記研磨室から取り出すとともに該研磨室の上方を移動させて前記ウェーハ洗浄部へ移送する移送機構と、前記研磨室の上部から前記ウェーハ洗浄部の上部まで配された天板とを備え、該天板は、前記研磨室から前記ウェーハ洗浄部まで段階的に低く設定されるとともに、上面に水が溜められていることを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨装置。