特許

J-GLOBAL ID：200903057885171700

磁気インピーダンス効果センサー

発明者： 豊田 一実
出願人/特許権者： 内橋エステック株式会社
代理人 (1件)： 松月 美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-092229
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289940
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】平面寸法を小さくでき、かつ被検出体に近接させて高感度の検出を可能とする磁気インピーダンス効果センサーを提供する。【解決手段】基板11の片面に磁気インピーダンス効果素子13を配設し、鉄芯21に負帰還磁界発生用コイル2aとバイアス磁界発生用コイル2bとを巻装したコイルを前記基板11の他面に、鉄芯21と磁気インピーダンス効果素子13とで磁気回路を構成するように配設した。

請求項（抜粋）：

基板の片面に磁気インピーダンス効果素子を配設し、鉄芯に負帰還磁界発生用コイルとバイアス磁界発生用コイルとを巻装したコイルを前記基板の他面に、鉄芯と磁気インピーダンス効果素子とで磁気回路を構成するように配設したことを特徴とする磁気インピーダンス効果センサー。

IPC (2件)：

H01L 43/00 ,  G01R 33/02

FI (2件)：

H01L 43/00 ,  G01R 33/02 D

Fターム (4件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD51 ,  2G017BA05