特許
J-GLOBAL ID:200903057893605662
液晶光学素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-037878
公開番号(公開出願番号):特開2002-244143
出願日: 2001年02月15日
公開日(公表日): 2002年08月28日
要約:
【要約】【課題】 所望の液晶層厚が容易得られ、低ツイストドメインによる欠陥のない液晶光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】 液晶材料を液晶注入口15から注入工程後に、液晶材料の等方性温度以上の温度における熱処理工程を行い、その後に液晶注入口15に封止材7を形成する封止工程を行う。
請求項(抜粋):
液晶光学素子の製造方法であって、第1の基板と第2の基板を、該第1の基板と第2の基板間に間隙を設けるように貼り合わせる工程と、前記第1の基板と第2の基板間の間隙に液晶材料を液晶注入口から注入して液晶層を形成する工程と、前記液晶材料が等方性状態となる温度で熱処理を行なう等方性処理工程と、前記液晶注入口を封止材で封止する封止工程とを有することを特徴とする液晶光学素子の製造方法。
Fターム (5件):
2H089NA24
, 2H089NA31
, 2H089NA43
, 2H089NA48
, 2H089QA15
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