特許
J-GLOBAL ID：200903057895869209
気相成長装置と気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181083
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045852
出願日： 1994年08月02日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【構成】 本発明の気相成長装置は、成膜ガス用ノズル3とガス排気管4を有し、反応容器5内に半導体基板1を載置し前記反応容器5外周部に加熱用熱源6を配置して前記成膜により前記半導体基板1上に所定の膜を気相成長させるための気相成長装置において、前記反応容器5内に前記半導体基板1表面の自然酸化膜をエッチングするHFガスが供給される第1のガスノズル8と、前記半導体基板表面を酸化するO2 ガスが供給される第2のガスノズル9を具備する。【効果】本発明を用いると、石英製反応容器において自然酸化膜除去と界面酸化膜の成膜を連続的かつ高速で行える気相成長装置および気相成長方法を提供できる。
請求項（抜粋）：
成膜ガス用ノズルとガス排気管を有し、反応容器内に半導体基板を載置し前記反応容器外周部に加熱用熱源を配置して前記半導体基板上に所定の膜を気相成長させるための気相成長装置において、前記反応容器内に前記半導体基板表面の酸化膜をエッチングするHFガスが供給される第1のガスノズルと、前記半導体基板表面を酸化するO2 ガスが供給される第2のガスノズルを具備することを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/3065
