特許
J-GLOBAL ID:200903057900364463

TRIP素子及びその歪み読取り装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 櫻井 俊彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-155939
公開番号(公開出願番号):特開2000-346715
出願日: 1999年06月03日
公開日(公表日): 2000年12月15日
要約:
【要約】【課題】安価でかつ衝撃力などによる破壊が生じにくいTRIP素子とその歪みの読取り装置を提供する。【解決手段】本発明のTRIP素子は、塑性変形に伴って磁気的特性を変化させるTRIP素片(11)と、このTRIP素片(11)の両側に形成されると共にこのTRIP素片よりも大きな断面形状を有する取付け部(12,13) とから成り、コイルや電子部品が除去されることにより低廉化と堅牢化が実現されている。このTRIP素子に生じた歪みは、その磁気的特性の変化を読取るためのコイルを備えた読取り装置によって読取られる。
請求項(抜粋):
塑性変形に伴って磁気的特性を変化させるTRIP素片と、このTRIP素片の両側に形成されると共にこのTRIP素片よりも大きな断面形状を有する取付け部とから成ることを特徴とするTRIP素子。
IPC (5件):
G01L 1/06 ,  G01B 7/24 ,  G01L 1/12 ,  G01P 15/06 ,  G01P 15/08
FI (5件):
G01L 1/06 ,  G01B 7/24 ,  G01L 1/12 ,  G01P 15/06 ,  G01P 15/08 C
Fターム (8件):
2F063AA26 ,  2F063EA20 ,  2F063EC01 ,  2F063EC05 ,  2F063EC30 ,  2F063GA01 ,  2F063MA04 ,  2F063ZA01

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