特許

J-GLOBAL ID：200903057902188417

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 小林 平治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207543
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023074
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の微細化が進んだ場合においても、コンタクトホールの形状が適性な形状を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】 コンタクトホール2aの形状を下層配線層1側に向かうにしたがって徐々に開口が連続的に小さくなるように設けていることから、コンタクトホール2aの側壁に沿って形成されるバリアメタル層3およびメタル配線層4に、従来のような空洞部が生じることがない。

請求項（抜粋）：

下層配線層を形成する工程と、前記下層配線層の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記下層配線層に達するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内に前記下層配線層に接続する埋め込み配線層を形成する工程を備え、前記コンタクトホールを形成する工程は、斜めイオン回転注入法により、前記層間絶縁膜に不純物を導入する工程と、不純物が導入された前記層間絶縁膜にエッチング処理を行なう工程と、を有する、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/28 U ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/302 M

Fターム (45件)：

4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF18 ,  4M104GG16 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  5F004AA12 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F033VV16 ,  5F033XX02 ,  5F033XX10 ,  5F043AA33 ,  5F043BB22 ,  5F043DD17 ,  5F043FF03 ,  5F043FF06 ,  5F043GG03