特許
J-GLOBAL ID：200903057902472794
半導体基板上でのパタ-ン化された導電性多層装置の製造法、半導体製造の際のウェ-ハ基板の処理法並びに処理された製品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207762
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068268
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上でのパターン化された導電性多層装置の製造法。【解決手段】 半導体作成の際の上に重ねられる遠紫外線フォトレジスト層と誘電性反射防止コーティング層としての酸窒化珪素層との間に、本質的に反応性の窒素含有物質不含の誘電性材料の薄層を、誘電性スペーサー層として挟み込む。【効果】 誘電性スペーサー層により、DARC酸窒化珪素層によるDUVフォトレジスト層の汚染が回避される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上でのパターン化された導電性多層装置を製造するための方法において、絶縁層が第一の導電性層の領域の上に重なるようにするための、半導体基板上の選択的領域中に配置された第一の導電性層を有する半導体基板の表面上への誘電体絶縁層の施与;絶縁層上に誘電性反射防止コーティングを形成させるのに十分な、絶縁層上への酸窒化珪素の施与;反応性窒素性物質が通過して酸窒化珪素層から移動するのを防ぐのに十分な、反射防止コーティング酸窒化珪素層上への本質的に反応性の窒素性物質不含の誘電性スペーサー層の施与;誘電性スペーサー層上へのフォトレジスト層の施与;基板中の第一の導電性層領域に対してパターン部分は上に重なねて配置された関係である下地の誘電性スペーサー層の選択的パターン部分を露出させるための、フォトレジスト層の選択的露光及び現像;下地の絶縁層の相応する部分の露出のための、誘電性スペーサー層の露出したパターン化部分及び酸窒化珪素層の相応する下地の部分の除去;及び基板中の第一の導電性層の領域を露出させるための絶縁層の露出した部分の除去の工程からなることを特徴とする、半導体基板上でのパターン化された導電性多層装置の製造法。
IPC (2件)：
H01L 21/318
, H01L 21/3205
H01L 21/318 C
, H01L 21/88 B
