特許

J-GLOBAL ID：200903057904643146

欠陥評価装置及び欠陥評価方法

発明者： 竹下 真理子 ,  メアリー チャップマン
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-361582
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195685
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【目的】より簡単、安価、迅速で正確な欠陥の評価装置及び方法を提供すること。更に、この手法を、酸化膜耐圧評価と同様の評価手法として使用することにより、中量、多量評価の可能な評価方法を提供すること。【構成】半導体絶縁膜の欠陥評価法である銅析出法に用いられる装置であって、容器1の下部に銅電極4を配置し、この銅電極の上方に、絶縁膜2aを下方に向けた評価試料2を配置し、この評価試料の前記絶縁膜が除去された面2bに電極の一方3を接触し、電極の他方を銅電極4として前記絶縁膜に非接触の状態で配置し、容器1に入れられるメチルアルコール5は、その液上面5aが、絶縁膜が除去された面に設けられる前記一方の電極3よりも下方に位置している欠陥評価装置と、この装置を用いて表面から各深さでの欠陥評価を行う。

請求項（抜粋）：

半導体絶縁膜の欠陥評価法である銅析出法(Cuデコレーション法)に用いられる装置であって、メチルアルコールを入れた容器に、絶縁膜を形成するとともに片方の面の絶縁膜を除去した評価試料を収納し、この評価試料の前記絶縁膜が除去された面に電極の一方を接触し、電極の他方を銅電極として前記絶縁膜に非接触の状態で配置してなる欠陥評価装置において、前記容器の下部に銅電極を配置し、この銅電極の上方に、前記絶縁膜を下方に向けた評価試料を配置し、少なくとも前記双方の電極間に電圧を印加する際における前記メチルアルコールは、その液上面が前記絶縁膜に接しかつ絶縁膜が除去された面に設けられる前記一方の電極よりも下方に位置しているように、入れられていることを特徴とする欠陥評価装置。