特許

J-GLOBAL ID：200903057909048769

半導体装置及びその製造方法

発明者： 村田 智司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202884
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037840
出願日： 1993年07月24日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 PHS構造を有する化合物半導体基板をチップに分離する際、粘着テープに整列させたまま支持板より剥離すること。【構成】 半導体基板4を裏面からエッチングにてハ-フエッチングする工程(図1工程B)、このハ-フエッチングされた半導体基板4を粘着テ-プ11で貼り付け、その後ブレ-キングする工程(同工程D)、ブレ-キングされたチップの相互干渉を解消するため、粘着テ-プ11を引き伸ばす工程(同工程E)とを備えている。【効果】 工程の自動化を容易に行うことができ、しかも大幅な工数低減が可能となる。また、PHS構造を有する半導体素子を支持板から剥離し、素子分離を行う場合、半導体素子の重なりを防止し、外観チェックの工数を大幅に低減することができる。

請求項（抜粋）：

PHS構造を有する化合物半導体装置において、チップ側面の表面付近は、非垂直、非直線的に、また、チップ側面のPHSめっき部付着は、表面付近に比して内側に斜め又は湾曲にチップが分離されている構造からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 X ,  H01L 21/78 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-065155
  
• 特開平3-274749
  
• 特開平4-044335
  
• 特開昭63-253641