特許
J-GLOBAL ID：200903057910599795
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281021
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121706
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 高集積・高密度化を図り、基板バイアスをかけることのできる素子およびSOI構造をとる素子を同一基板上に容易に製造できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 半導体基板1の全面に酸素イオン注入2し、酸素偏析層3を形成する。次に、酸素偏析層3のある一部を除去し、半導体基板領域6を形成する。この後、熱処理により酸素偏析層3により絶縁物層5が形成される。次に基板表面に分離絶縁膜7を形成し、素子を形成する。
請求項（抜粋）：
SOI構造の半導体素子領域と基板バイアスをかけることのできる半導体素子領域を同一基板上に有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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