特許
J-GLOBAL ID：200903057910915042
多成分系セラミックス材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028275
公開番号（公開出願番号）：特開平9-221366
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 多成分系セラミックスの結晶化工程で必要な熱源を従来のような電気炉、赤外線ランプ等にした場合、加熱領域が広く、必要な部位のみの加熱や結晶化が困難であった。また、結晶性セラミックスを薄膜状の所望のパターンにて製造したい場合、パターニング工程が複雑で製造コストが高いといった課題があった。【解決手段】 Siウエハー等の基板上に形成した非晶質セラミックスをレーザーアニールにより結晶化する。この際照射するレーザーエネルギーを最適な範囲内に制御する。必要に応じ、レーザー照射部と非照射部を設け、パターニングをおこなう。
請求項（抜粋）：
(1)基板上に、アモルファス状のセラミックスを形成する工程と、(2)該アモルファス状セラミックスにレ-ザ-を照射し結晶化させる工程とからなることを特徴とする多成分系セラミックス材料の製造方法。
IPC (5件)：
C04B 35/495
, C30B 1/02
, C30B 29/22
, H01L 21/268
, H01L 41/187
C04B 35/00 J
, C30B 1/02
, C30B 29/22 Z
, H01L 21/268 Z
, H01L 41/18 101 D
