特許
J-GLOBAL ID：200903057916996303
導電薄膜の形成方法及び薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-285672
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122501
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 堆積膜中に陰極材料又は陰極面に付着した膜からの異種元素が取り込まれるのを防ぐ。【構成】 真空容器6内に円筒状の陰極8が配置され、陰極8の下部には基板12を支持した基板ホルダ14が配置されている。電源16から陰極8に一定の負電位を与え、陰極8と真空容器6の間で直流グロー放電を生じさせ、陰極面8aから垂直に放射される電子ビームで反応ガス分子を励起して平板状のプラズマ18を発生させる。この平板状のプラズマ18により気相反応を生じさせて、基板ホルダ14に支持された基板12上に薄膜を形成する。陰極8と基板12の間に、陰極8に対して基板12を遮蔽しうる開閉可能なシャッタ20を配置し、CVD動作の初期や反応ガス交換時にはシャッタ20を閉じる。
請求項（抜粋）：
真空容器中に陰極を配置し、この陰極と前記真空容器との間のグロー放電によりこの陰極から放射される電子ビームによって原料ガスを励起して平板状のプラズマを発生させ、そのプラズマ中で励起された原料ガスによる気相反応により前記真空容器中に配置された基板上に堆積膜を形成するCVD装置を用いた薄膜形成方法において、原料ガスとして金属化合物を含むガスを用い、基板上には導電膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
