特許
J-GLOBAL ID：200903057922557834
薄膜太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349593
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204535
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高い変換効率が得られ、しかも半導体層にピンホール等の欠陥があっても、この部分でのリーク電流が効果的に抑えられ、またこの部分の変質が起こりにくいため、過酷な環境に於いても信頼性の高い薄膜太陽電池を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも金属電極102・透明層103・半導体層104・透明電極108がこの順で積層されてなる薄膜太陽電池において、透明層の膜厚方向の抵抗が、太陽電池の(最適動作電圧/最適動作電流)の10-4〜10-2の範囲にあり、かつ少なくとも金属電極と接する透明層の領域1の比抵抗が、領域1と半導体層の間にある透明層の領域2の比抵抗より低いことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも金属電極・透明層・半導体層・透明電極がこの順で積層されてなる薄膜太陽電池において、透明層の膜厚方向の抵抗が、太陽電池の(最適動作電圧/最適動作電流)の10-4〜10-2の範囲にあり、かつ少なくとも金属電極と接する透明層の領域1の比抵抗が、領域1と半導体層の間にある透明層の領域2の比抵抗より低いことを特徴とする薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 F
