特許
J-GLOBAL ID：200903057926334163
トランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 伊奈 達也
, 竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-350556
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157982
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】新規な構造を有するトランジスタ型強誘電体メモリを提供する。【解決手段】トランジスタ型強誘電体メモリ100は、基板10と、前記基板10の上方に形成されたゲート電極20と、前記ゲート電極20を覆うように前記基板の上方に形成された強誘電体層30と、前記強誘電体層30の上方に形成されたソース電極40と、前記強誘電体層30の上方に形成され、前記ソース電極40と離間して位置するドレイン電極42と、前記強誘電体層30の上方に形成され、前記ソース電極40と前記ドレイン領域42との間に位置するチャネル層50と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ソース電極と、
前記ソース電極と離間して形成されたドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン領域との間に形成されたチャネル層と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記チャネル層と接して形成された強誘電体層と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記チャネル層に対して、前記強誘電体層を挟むように形成されたゲート電極と、を含む、トランジスタ型強誘電体メモリ。
IPC (4件)：
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 29/792
, H01L 29/788
H01L27/10 444A
, H01L29/78 371
5F083FR05
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA42
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083PR23
, 5F083PR40
, 5F101BA62
, 5F101BB02
, 5F101BD02
