特許
J-GLOBAL ID:200903057935159145
半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-295331
公開番号(公開出願番号):特開平5-211185
出願日: 1991年11月12日
公開日(公表日): 1993年08月20日
要約:
【要約】【構成】金型の構造として、キャビティ部6の近傍に小さなポケット部1を多数設け、樹脂封止時に熱硬化性樹脂をパウダー状樹脂6とし、このパウダー状樹脂6をポケット部1に供給し、高温高圧エアーで圧力を加え、高圧空気注入口5からキャビティ部6に注入させることにより、ポケット部1から、ゲート部2を通して直接キャビティ3内に溶融樹脂を注入することが可能となる。【効果】樹脂のキャビティ部と同程度の体積のポット部と細いゲート部だけが不要として廃棄させるため、樹脂の利用効率を飛躍的に向上できる。また、パウダー状の樹脂を使用できるため樹脂製造工程におけるタブレット加工が不要となり、資材費の低減が行なえる。
請求項(抜粋):
半導体チップが搭載されたリードフレームを所定の位置に配置し高温状態の上下の封入金型で挟みこんだ後封入金型ポット部に熱硬化性樹脂を供給し該熱硬化性樹脂を溶融して封入金型の各キャビティ部に圧入し硬化させることにより、前記半導体チップを覆う外囲器となる封入樹脂を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に於いて、前記熱硬化性樹脂をパウダー状で供給し溶融した後、高温高圧エアーを前記封入金型ポット部に加えることにより、溶融した前記熱硬化性樹脂を前記各キャビティ部に注入し封入して前記封止樹脂を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前のページに戻る