特許
J-GLOBAL ID：200903057937525025
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-114083
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309239
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 従来の混成集積回路装置およびその製造方法は、プリント基板等に回路装置が実装された混成集積回路装置上に数多くの回路素子を固着し、回路素子の中の半導体素子にあっては、金属細線を使用しワイヤーボンディングを行っていたため、組み立て工程が多いという課題があった。【解決手段】 本発明では、混成集積回路装置に用いる半導体装置、特にパワートランジスタ13を内蔵した半導体装置は、ヒートシンク11上にパワートランジスタ13を固着し、パワートランジスタ13と隣接して設けられた取り出し電極12とを金属細線16で接続し、絶縁性樹脂17でモールドされている。その後、この半導体装置を導電パターン23が形成されている実装基板22に固着することで、混成集積回路装置の組み立て工程を減らすことができるものである。更に、ヒートシンク11および取り出し電極12には凹部を設ける事により、絶縁性樹脂17との接合が強固になる。
請求項（抜粋）：
ヒートシンクと、前記ヒートシンクと同一材料で形成され且つ前記ヒートシンクに近接して配置された取り出し電極と、前記ヒートシンク上に固着された半導体素子と、前記半導体素子の電極と前記取り出し電極とを電気的に接続する電気的接続手段と、前記ヒートシンク、前記取り出し電極および前記金属細線を埋没させ且つ全体を一体に支持する絶縁性樹脂とを有する半導体装置であり、前記ヒートシンクおよび前記取り出し電極には、前記絶縁性樹脂との結合を向上させるための凹部を設けることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/48
, H01L 23/34
, H01L 23/36
, H01L 23/373
H01L 23/48 J
, H01L 23/48 G
, H01L 23/48 L
, H01L 23/48 M
, H01L 23/34 A
, H01L 23/36 C
, H01L 23/36 M
5F036AA01
, 5F036BB09
, 5F036BD01
, 5F036BE01
