特許
J-GLOBAL ID:200903057938748176

フォトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-261621
公開番号(公開出願番号):特開平8-101491
出願日: 1994年09月30日
公開日(公表日): 1996年04月16日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスのフォトリソグラフィ工程において、フォトレジスト膜に形成するパターンを所期の矩形パターンに十分に近似させ、高精度にパターニングできるようにする。【構成】 少なくとも一部に透光部10b又は遮光部10aからなる矩形パターンPを設けたフォトマスクにおいて、その矩形パターンPの隣接領域に、その矩形パターンの投影像の光強度分布を補正し、投影像のパターンのコーナー部の丸みを低減させる補正パターンp1 、p2 を設ける。
請求項(抜粋):
遮光部又は透光部の少なくとも一部に透光部又は遮光部からなる矩形パターンを有するフォトマスクにおいて、その矩形パターンの隣接領域に、その矩形パターンの投影像の光強度分布を補正し、投影像のパターンのコーナー部の丸みを低減させる補正パターンが設けられていることを特徴とするフォトマスク。

前のページに戻る