特許
J-GLOBAL ID：200903057941155836

耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ

発明者：
水埜 嗣伸

水埜 嗣伸 について

, 
中村 友幸

中村 友幸 について

, 
佐野 晴信

佐野 晴信 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 小柴 雅昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142742
公開番号（公開出願番号）：特開2000-327414
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：
【要約】【課題】 高周波かつ高電圧あるいは大電流下での使用時の損失および発熱を小さくでき、交流負荷あるいは直流負荷において安定した絶縁抵抗を示し、さらにはニッケルのような卑金属を内部電極材料として問題なく用いることができる、積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するための誘電体セラミックを提供する。【解決手段】 誘電体セラミック層2a,2bを、一般式ABO3 で表わされるペロブスカイト構造を示し、かつ主結晶相がチタン酸バリウムを主成分としていて、-25°C以上の温度領域においてX線回折により求められる結晶軸比c/aが1.000≦c/a≦1.003を満足する、耐還元性誘電体セラミックによって構成する。この耐還元性誘電体セラミックの相転移点は-25°C未満であることが好ましく、また、希土類元素を含有していることが好ましい。
請求項（抜粋）：
一般式ABO3 で表わされるペロブスカイト構造を示し、かつ主結晶相がチタン酸バリウムを主成分としている、耐還元性誘電体セラミックであって、-25°C以上の温度領域においてX線回折により求められる結晶軸比c/aが1.000≦c/a≦1.003の条件を満足することを特徴とする、耐還元性誘電体セラミック。
IPC (4件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/30 301
FI (4件)：
C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/30 301 E
Fターム (71件)：
4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA03 ,  5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF00 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BB04 ,  5E082BB05 ,  5E082BC30 ,  5E082BC40 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FG06 ,  5E082FG22 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG26 ,  5E082GG28 ,  5E082HH43 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ05 ,  5E082JJ12 ,  5E082JJ21 ,  5E082JJ23 ,  5E082LL02 ,  5E082MM22 ,  5E082MM24 ,  5E082PP06 ,  5E082PP10 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303AB02 ,  5G303AB06 ,  5G303AB14 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB08 ,  5G303CB15 ,  5G303CB22 ,  5G303CB26 ,  5G303CB35 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43
引用特許：
審査官引用 (2件)

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