特許
J-GLOBAL ID：200903057946019574
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029136
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226351
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 埋込みコレクタ層のエピタキシャル層側への這い上がりを抑え、かつフラットな低濃度コレクタ領域を形成することができ、高周波かつ高速縦型のPNPトランジスタを実現する製造方法を提供する。【構成】 低コレクタ層を形成すべきエピタキシャル層上方の開口部に異なる加速エネルギで2回以上連続してイオン注入を行った後、拡散熱処理を行う工程を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、フォトリソグラフィ工程により埋込み領域を形成した後、その基板上全面にエピタキシャル層を形成し、その後そのエピタキシャル層上に酸化膜を介してレジストを形成した後、低コレクタ層を形成すべきエピタキシャル層上方の上記レジストおよび酸化膜を除去することにより開口部を設け、その後、その開口部に異なる加速エネルギで2回以上連続してイオン注入を行った後、拡散熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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