特許
J-GLOBAL ID：200903057947956911
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270827
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109706
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 一度のしきい値制御イオン注入により周辺回路のしきい値を低く、セル内のしきい値を高く制御できる方法を提供する。【構成】 p型Si基板1上にSi酸化膜2を形成した後、Si窒化膜3を堆積しレジスト4をパタ-ニングする。Si窒化膜3を順テ-パ形状にエッチングした後、レジストを除去しSi窒化膜をマスクとしてチャンネルストッパ(ボロン)5を注入する。次にLOCOS酸化膜6を形成した後、周辺回路とセル内のしきい値を同時に制御する。ボロンはSi窒化膜3を垂直にエッチングした時と同様に順テ-パ形状の下部にも注入される。一方、LOCOS分離領域は狭くなるため、LOCOS端部の活性領域にチャンネルストッパ5が残りしきい値が高くなるが、周辺回路部ではチャンネル幅が広いためチャンネル中心部までボロンが拡散することなくしきい値に影響はない。この効果を利用して上記目的が達成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を形成し、上記シリコン窒化膜を順テ-パ-にエッチングし、イオン注入した後、露出した上記シリコン酸化膜を選択酸化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, H01L 27/108
, H01L 21/302
, H01L 21/318
H01L 21/94 A
, H01L 27/10 325 H
