特許
J-GLOBAL ID：200903057948816706
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267477
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110081
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】ゲートオーバーラップLDD構造のMOS型半導体装置に於てリーク電流を増加させずにホットキャリア現象による素子特性の劣化をおさえながらパンチスルー現象を起こし難くして微細化を可能とする。【構成】ゲートオーバーラップLDD構造のMOS型半導体装置に於て低濃度のN型不純物を含む拡散層の下部に低濃度のP型不純物を含む拡散層を有する。
請求項（抜粋）：
低濃度のP型不純物を含む半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、その上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の脇に形成された側壁と、ゲート電極端の下部及びゲート電極脇に形成された側壁の下部に形成された低濃度のN型不純物を含む拡散層と、低濃度のN型不純物を含む拡散層の下部に形成された低濃度のP型不純物を含む拡散層と、ゲート電極の脇に形成された側壁端の直下及びソースドレイン領域に形成された高濃度のN型不純物を含む拡散層を、少なくとも有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 L
