特許
J-GLOBAL ID：200903057949762979

反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
笑喜 勉

笑喜 勉 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-070829
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304170
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】 マスク製造過程で反射多層膜や保護層の表面に生成した酸化物等の堆積に由来する反射率の低下を防止することができる反射型マスクの製造方法を提供する。【解決手段】 基板1と、基板1上に形成され、露光光を反射する反射多層膜2と、露光光の非反射領域を形成するために反射多層膜2上にパターン状に形成されたバッファー層3a及び吸収体層4aを有する反射型マスクの製造方法であって、反射多層膜2の最上層の上に隣接して形成されたCr系のバッファー層3に、酸素を含むプラズマプロセスを用いてパターンを形成する工程と、このパターン形成工程を施すことにより、露出する反射多層膜2上に堆積された酸化物の層5を除去する工程とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成され、露光光を反射する反射多層膜と、露光光の非反射領域を形成するために前記反射多層膜上にパターン状に形成された少なくとも一層の層を有する反射型マスクの製造方法であって、 (a)前記反射多層膜の最上層の上に隣接して形成された層にパターンを形成する工程と、 (b)上記(a)の工程を施すことにより、露出する反射多層膜上に堆積された前記パターン形成に伴う反応生成物を除去する工程と を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F1/16 ,  G03F7/20
FI (3件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A ,  G03F7/20 521
Fターム (5件)：
2H095BA01 ,  2H095BA10 ,  5F046GA03 ,  5F046GB01 ,  5F046GD20
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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