特許

J-GLOBAL ID：200903057953121147

半導体レーザの製造方法

発明者： 宮坂 文人
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009027
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221386
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 レーザ端面の吸収を小さくし、光学損傷を起こす最高光出力を向上した高出力半導体レーザを歩留まりよく製造する。【構成】 活性層がGaInP自然超格子からなり、n型のGaAs基板1、n型クラッド層2のレーザ端面近傍領域にn型不純物Siを所定濃度以上付加し、p型クラッド層6を積層成長する工程において、Siを付加した領域3上のみp型クラッド層6中にドープしたp型の不純物Znを活性層5に拡散し超格子を無秩序化し窓領域を作製する。領域3上に積層成長した層は結晶品質が低下し、Znが拡散し易くなり、クラッド層6の積層成長中に活性層中に容易に拡散し、超格子が無秩序化される。新たに熱処理をする必要がなく、端面近傍以外の活性領域にZnが拡散し、劣化させることはない。

請求項（抜粋）：

第1伝導型の半導体基板上に、第1伝導型クラッド層を積層成長する工程と、該第1伝導型クラッド層のレーザ端面近傍領域に第1伝導型不純物を所定濃度以上付加する工程と、該第1伝導型クラッド層上に少なくとも超格子活性層と第2伝導型クラッド層を積層成長し、該第2伝導型クラッド層を積層成長する過程において第1伝導型不純物を付加した領域上のみ第2伝導型クラッド層中にドープした第2伝導型の不純物が前記超格子活性層に拡散し、超格子が無秩序化する工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。