特許

J-GLOBAL ID：200903057958140310

マイクロストリップガスチャンバーおよびその製造方法

発明者： 佐藤 恵二 ,  井上 昌宏 ,  山中 順子
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007516
公開番号（公開出願番号）：特開平8-201524
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 絶縁耐圧が高く絶縁耐圧不良の発生しないマイクロストリップガスチャンバーを実現する。【構成】 ガスチャンバー用マイクロストリップ電極は絶縁基板としての石英基板7にAlにより厚み0.3μmで第1金属膜3、層間膜としてCVDにより形成したSi3 N4 にボロンをイオン注入した厚み2.0μmのSi3 N4 膜8とAlにより厚み2.0μmのアノード電極5とカソード電極6よりなる。

請求項（抜粋）：

絶縁体上に導電層と絶縁物からなる層間膜を有するマイクロストリップ電極をもつマイクロストリップガスチャンバーにおいて前記層間膜が不純物を有する窒化珪素であることを特徴とするマイクロストリップガスチャンバー。